CSD25310Q2 德州儀器單通道、23.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD25310Q2特性
超低 Qg 和 Qgd
低導通電阻
低熱阻
無鉛
符合 RoHS
無鹵素
SON 2mm × 2mm 塑料封裝

CSD25310Q2說明
CSD25310Q2這款 19.9mΩ、–20V P 溝道器件旨在以超薄且具有出色散熱特性的極小封裝提供更低的導通電阻和柵極電荷。CSD25310Q2該器件將低導通電阻與 SON 2mm × 2mm 塑料封裝的極小封裝尺寸融為一體，堪稱電池供電型空間受限應用的理想之選。

產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WSON-6
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導通電阻: 23.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 550 mV
Qg-柵極電荷: 3.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.9 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD25310Q2
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 5 ns
高度: 0.75 mm
長度: 2 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 15 ns
典型接通延遲時間: 8 ns
寬度: 2 mm
單位重量: 6 mg

TPS2001DDBVR
TPS2041BDR
TPS2042BDGNR
TPS2042BDR
TPS2051BDGNR
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TPA2005D1DGNR
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TPA3112D1PWPR
TPA3123D2PWPR
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DRV5053VAQDBZR
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DRV8313PWPR
DRV8412DDWR
DRV8432DKDR
DRV8701PRGER
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DRV8800RTYR
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DRV8812PWPR
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ISO124U/1K
ISO7221CDR
OPA192IDBVR
OPA197IDBVR
OPA2134UA/2K5
OPA2140AIDGKR
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OPA2171AIDR
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CSD17313Q2
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CSD18540Q5B
CSD25310Q2