BVSS84LT1G是一款適用于低功率應用的汽車用功率的MOS管 品牌:ON/安森美
封裝:SOT-23-3(TO-236) 引腳數:3 PIN (3000個/圓盤)
表面貼裝型 P 通道 50 V 130mA(Ta) 225mW(Ta),功率MOSFET的單P溝道
漏源電壓(Vdss):50V 連續漏極電流(Id):130mA 功率(Pd):225mW 類型:P溝道 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):10Ω@5V,100mA 單 P 溝道邏輯電平功率 MOSFET -50V -130mA 10Ω
BVSS84LT1G的詳細參數
參數名稱
參數值
Source Content uid
BVSS84LT1G
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Not Recommended
Objectid
1253930136
零件包裝代碼
SOT-23 (TO-236) 3 LEAD
包裝說明
TO-236, 3 PIN
針數
3
制造商包裝代碼
318-08
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
4 weeks
風險等級
5.77
Samacsys Description
Small Signal MOSFET -50V -130mA 10 Ohm Single P-Channel SOT-23 Logic Level Automotive version of the BSS84L.
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
6.5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
50 V
最大漏極電流 (ID)
0.13 A
最大漏源導通電阻
10 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-236
JESD-30 代碼
R-PDSO-G3
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數量
1
端子數量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度)
260
極性/信道類型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.225 W
參考標準
AEC-Q101
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
10
晶體管元件材料
SILICON
本公司主營是二三極管,MOS管和邏輯IC等,這邊有ON/安森美,TI,ST,NXP,英飛凌等品牌,也有一些國產品牌的渠道,這邊需要的話,可以聯系QQ(2854892127)或者微信同手機號聯系(13794473583)
LM358
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VND7012AYTR