BD13516S 放大圖片" /> 安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-126-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: 45 V
集電極-基極電壓VCBO: 45 V
發射機-基極電壓VEBO: 5 V
集電極-發射極飽和電壓: 500 mV
集電極最大直流電流: 1.5 A
Pd - 功率消耗 : 12.5 W
增益帶寬積 fT: -
最低工作溫度: -
最高工作溫度: + 150 C
系列: BD135
封裝: Bulk
品牌: onsemi / Fairchild
連續集電極電流: 1.5 A
直流集電極/增益 hfe 最小值: 40
直流電最大增益hFE: 250
高度: 1.5 mm
長度: 8 mm
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors