制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導通電阻: 11.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 156 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C