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MMBT2222ALT1G

發布時間:2023/11/23 17:45:00 訪問次數:72 發布企業:深圳市展鵬富裕科技有限公司

MMBT2222ALT1G 是一款雙極性晶體管的三極管 品牌:ONSEMI/安森美 封裝:SOT-23

引腳數:3 PIN(3000個/圓盤)


NPN 耐壓:40V 電流:600mA NPN 雙極晶體管 直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V

功率(Pd):225mW 集射極擊穿電壓(Vceo):40V 集電極電流(Ic):600mA 晶體管類型:NPN NPN 雙極晶體管

該 NPN 雙極晶體管適用于線性和開關應用。此器件采用 SOT-23 封裝,適用于低功率表面貼裝應用。

參數名稱 參數值
Source Content uid MMBT2222ALT1G
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛不含鉛
生命周期 Active
Objectid 1997927778
零件包裝代碼 SOT-23 (TO-236) 3 LEAD
包裝說明 CASE 318-08, 3 PIN
針數 3
制造商包裝代碼 318-08
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.21.00.95
Factory Lead Time 77 weeks
風險等級 0.67
Samacsys Description MMBT2222ALT1G, NPN Bipolar Transistor, 0.6 A 40 V HFE:35 300 MHz Small Signal, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 7.5
最大集電極電流 (IC) 0.6 A
集電極-發射極最大電壓 40 V
配置 SINGLE
最小直流電流增益 (hFE) 75
JEDEC-95代碼 TO-236
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 3
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度) 260
極性/信道類型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
標稱過渡頻率 (fT) 300 MHz
最大關閉時間(toff) 285 ns
最大開啟時間(噸) 35 ns

本公司主營是二三極管,MOS管和邏輯IC等,這邊有ON/安森美,TI,ST,NXP,ADI,微芯,英飛凌,美臺等一系列的原裝進口的電子元器件,有需要的話,可以加上面的聯系方式,這邊報價過去,服務你

MMBT2222ALT1G ON(安森美)
EPM570T100C5N ALTERA(阿爾特拉)
XC7Z020-1CLG400I XILINX(賽靈思)
ULN2803AFWG TI(德州儀器)
L6599ADTR ST(意法)
SN74LVC4245APWR TI(德州儀器)
XC7Z010-1CLG400C XILINX(賽靈思)
OPA277U/2K5 TI(德州儀器)
NCV7708FDWR2G ON(安森美)
EP4CE10F17C8N ALTERA(阿爾特拉)
PIC16F1937-I/PT Microchip(微芯)
TPS92662AQPHPRQ1 TI(德州儀器)
MC33063ADR ON(安森美)
FS32K144UAT0VLLT Freescale(飛思卡爾)
UC3843BD1R2G ON(安森美)
CAT24C512WI-GT3 ON(安森美)
ADF4351BCPZ ADI(亞德諾)
CY90F497GPMCR-GE1 Cypress(賽普拉斯)
SN65HVD234DR TI(德州儀器)
LMV321IDBVR TI(德州儀器)
LM317T NS(國半)
HI-8585PSI Holt Integrated Circuits Inc.
SG3525ADWR2G ON(安森美)
TLC6C598CQDRQ1 TI(德州儀器)
STM32F207ZET6 ST(意法)
STM32H753BIT6 ST(意法)
LMR14030SDDAR TI(德州儀器)
STW9N150 ST(意法)
LM35DZ TI(德州儀器)
MAX3232IPWR TI(德州儀器)
74HC165D Nexperia(安世)
STM32F030RCT6 ST(意法)
STM8S105C6T6 ST(意法)
AT89C2051-24PU Atmel(愛特梅爾)
STM32F072CBT6 ST(意法)
ADUM4160BRWZ ADI(亞德諾)
L9301-TR ST(意法)
FDMS86263P Fairchild(飛兆/仙童)
DAC8814ICDBR TI(德州儀器)
INA128UA TI(德州儀器)
CC2541F256RHAR ADI(亞德諾)
OPA2277U/2K5 TI(德州儀器)
TCAN1042DRQ1 TI(德州儀器)
STM32F446RCT6 ST(意法)
OPA2197IDR TI(德州儀器)
L7812CV ST(意法)
MC33063ADR2G ON(安森美)
BTS723GW TI(德州儀器)
STM32F446RET6 ST(意法)
XC7Z020-2CLG400I XILINX(賽靈思)
L9779WD-SPI-TR ST(意法)
MC33172DR2G ON(安森美)
KLM4G1FETE-B041 SAMSUNG(三星)
LM317LDR2G ST(意法)
STM32F429ZET6 ST(意法)
STM32H753IIT6 ST(意法)
STM32L432KCU6 ST(意法)
RTL8211E-VB-CG REALTEK(瑞昱)
TPS54340DDAR TI(德州儀器)
GD32F103RBT6 GD(兆易創新)
FSBB30CH60C ON(安森美)
MP1584EN-LF-Z MPS(美國芯源)
TLV62569DBVR TI(德州儀器)
ATXMEGA128D3-AU Microchip(微芯)
MK60DN512ZVMD10 NXP(恩智浦)
MPC8308CVMAGDA Freescale(飛思卡爾)
MKL25Z128VLK4 NXP(恩智浦)
HCPL-316J-500E Agilent(安捷倫)
PESD1CAN Nexperia(安世)
VNQ7040AYTR ST(意法)
M24M01-RMN6TP ST(意法)
STM32F302CBT6 ST(意法)
FT232RQ FTDI(飛特帝亞)
AD780BRZ ADI(亞德諾)
WM8960CGEFL/RV WOLFSON(歐勝)
TJA1043T NXP(恩智浦)
MK60FN1M0VLQ15 NXP(恩智浦)
STM32F429NIH6 ST(意法)
ATMEGA8A-PU Atmel(愛特梅爾)
TLV2381IDBVR TI(德州儀器)
TJA1042T/1J TI(德州儀器)
STM32L151CBT6A ST(意法)
OP2177ARZ ADI(亞德諾)

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