模塊：EV1HMC8411LP2F

HMC8411LP2FE 是砷化鎵 (GaAs) 單片微波集成電路 (MMIC) 贗配高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器，工作頻率為 0.01 GHz 至 10 GHz。它提供的典型增益為 15.5 dB，典型的噪聲系數為 1.7 dB，典型的輸出三階交調 (OIP3) ≤ 34 dBm，5 V 漏極電源電壓僅需提供 55 mA 的電流。典型的飽和輸出功率 (PSAT) ≤19.5 dBm，使低噪聲放大器 (LNA) 可以用作 Analog Devices, Inc. 的多款平衡、同相和正交 (I/Q) 或鏡頻抑制混頻器的本振 (LO) 驅動。

HMC8411LP2FE 還具有內部匹配至 50 Ω 的輸入和輸出，使該器件非常適合基于表面貼裝技術 (SMT) 的大容量微波無線電應用。它采用符合 RoHS 標準的 2 mm × 2 mm、6 引線 LFCSP 封裝。EV1HMC8411LP2F 評估板是一款 2 層板，采用 Rogers 4350 制造，并采用高頻 RF 設計的最佳實踐。RF 輸入和 RF 輸出走線具有 50 Ω 特性阻抗。

特性 低噪聲系數：1.7 dB（典型值） 單正向電源（自偏置） 高增益：15.5 dB（典型值） 高 OIP3：典型值為 34 dBm 6 引腳 2 mm x 2 mm LFCSP 軍用溫度范圍（-55°C 至 +125°C） 應用 測試儀器 軍事通信