產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WHSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續漏極電流: 16 A
Rds On-漏源導通電阻: 5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.8 V
Qg-柵極電荷: 44 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
下降時間: 4 ns
正向跨導 - 最小值: 50 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 4.6 ns
6000