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MCU75N06YHE3-TP溝道功率MOSFET

發布時間:2023/12/14 18:28:00 訪問次數:76 發布企業:深圳市鑫遠鵬科技有限公司

MCU75N06YHE3-TP、MCG60N06YHE3-TP 和 MCAC65N06YHE3-TP 60 V N 溝道 MOSFET 采用分柵溝槽 (SGT) 技術。它們提供最佳的性能、效率和熱管理,使其成為一系列要求嚴格的汽車應用的明智選擇。這些符合 AEC-Q101 標準的 MOSFET 導通電阻低至 4.8 mΩ,可保證最佳功率流,同時顯著降低功率損耗。

DFN333、DFN5060 和 DPAK 封裝選項可實現設計靈活性以及與各種汽車系統的兼容性。

型號:MCG60N06YHE3-TP MCAC65N06YHE3-TP 特性與優勢 SGT MOSFET 技術 通過 AEC-Q101 標準鑒定 卓越的性能和功能 最佳功率傳輸 減少功率損耗 DPAK、DFN333 和 DFN5060 封裝帶來設計靈活性 適用于高性能汽車應用 高密度單元設計,實現低 RDS(ON) 無鉛表面、符合 RoHS 規范 應用 電動助力轉向系統 (EPS) 電動水泵 風扇電機驅動 電動座椅控制 門鎖 照明系統 室內 LED 照明 外部 LED 照明

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