產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-363-6
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 70 V
Id-連續漏極電流: 230 mA
Rds On-漏源導通電阻: 7.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: -
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 mW
通道模式: Enhancement
系列: 2N7002DW
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Diodes Incorporated
配置: Dual
正向跨導 - 最小值: 80 mS
高度: 1 mm
長度: 2.2 mm
產品: MOSFET Small Signals
產品類型: MOSFET
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
類型: Enhancement Mode Field Effect Transistor
典型關閉延遲時間: 11 ns
典型接通延遲時間: 7 ns
寬度: 1.35 mm

單位重量: 7.500 mg