制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-363-6
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續漏極電流: 240 mA
Rds On-漏源導通電阻: 3.8 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 850 mV
Qg-柵極電荷: 360 pC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 370 mW
通道模式: Enhancement
系列: DMG6301
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Diodes Incorporated
配置: Dual
下降時間: 2.3 ns
正向跨導 - 最小值: 1 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 1.8 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關閉延遲時間: 6.6 ns
典型接通延遲時間: 2.9 ns
單位重量: 7.500 mg
