製造商: Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 60 A
Rds On - 漏-源電阻: 11.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3 V
Qg - 閘極充電: 156 nC
最低工作溫度: -
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 100 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
系列: UMOS VI
封裝: Reel
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