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onsemiNTH4L045N065SC1

發布時間:2024/1/9 15:17:00 訪問次數:58 發布企業:深圳市悅興晨電子科技有限公司

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型號:NTH4L045N065SC1

品牌:ON

封裝:DIP

NTH4L045N065SC1參數:

制造商:onsemi
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術:SiC
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-4
晶體管極性:N-Channel
通道數量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續漏極電流:55 A
Rds On-漏源導通電阻:50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.3 V
Qg-柵極電荷:105 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:187 W
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
商標:onsemi
配置:Single
下降時間:7 ns
正向跨導 - 最小值:16 S
產品類型:MOSFET
上升時間:14 ns
子類別:MOSFETs
晶體管類型:1 N-Channel
典型關閉延遲時間:26 ns
典型接通延遲時間:13 ns

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NTH4L045N065SC1是由深圳市美盛雅恒科技有限公司重點推廣的一款IC。
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常備庫存型號:

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AR0130CSSM00SPCA0-DRBR

NCP1399ACDR2G

LB1909MC-BH

FFSH15120ADN-F155

AR0135CS2C00SUEA0-DPBR

LV8731V-TLM-H

MC74ACT08DR2G

AR0234CSSM28SUKA0-CR

RURD620CCS9A

LB1936V-TLM-E

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深圳市美盛雅恒科技有限公司
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