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IXFN102N30P

發布時間:2024/1/9 15:25:00 訪問次數:55 發布企業:江蘇芯鉆時代電子科技有限公司

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司,專業從事電氣線路保護設備和電工電力元器件模塊的服務與銷售,具有豐富的熔斷器、電容器、IGBT模塊、二極管、可控硅、IC類銷售經驗的專業公司。公司以代理分銷艾賽斯、英飛凌系列、賽米控系列,富士系列等模塊為主,同時經營銷售美國巴斯曼熔斷器、 西門子熔斷器、美爾森熔斷器、力特熔斷器等電氣保護。

公司擁有一支專業的銷售人員及技術工程師隊伍,并經過專業化的培訓及嚴格的管理,形成良好的經營理念和服務意識,能夠為客戶提供諸方案設計設計、器件選型等較為專業的技術支持,并努力為客戶提供優惠的價格及優質的服務。

我司衷心希望能與更多客戶在在今后的合作過程中保持良好的關系,以達到雙方的共同發展的目的。客戶至上是我們的經營宗旨,誠實可靠,是我們的經營原則。我們愿為新老客戶提供優質的產品和完善的服務。24h熱線 :18913062885、18913062888 QQ :1316996791、2414434275

IXFN102N30P

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: IXYS
產品種類: 分立半導體模塊
RoHS: 詳細信息
產品: Power MOSFET Modules
類型: PolarHV HiPerFET Power MOSFET
技術: Si
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
安裝風格: Screw Mount
封裝 / 箱體: SOT-227-4
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: IXFN102N30
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 30 ns
高度: 12.22 mm
Id-連續漏極電流: 86 A
長度: 38.23 mm
通道數量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 570 W
產品類型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源導通電阻: 33 mOhms
上升時間: 28 ns
工廠包裝數量: 10
子類別: Discrete Semiconductor Modules
商標名: HiPerFET
晶體管極性: N-Channel
典型關閉延遲時間: 130 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
Vds-漏源極擊穿電壓: 300 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
寬度: 25.42 mm
單位重量: 30 g

IXFN102N30P

IXFN102N30P

現貨庫存:

IXFN400N15X3
IXFN100N50P
IXFN100N65X2
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IXFN230N10
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DSEI2X101-12A
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FF450R12ME4

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陳先生 18913062888
企業QQ:1316996791

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