標準包裝 2,000
類別 集成電路 (IC)
家庭 PMIC - 顯示器驅動器 ；PCF8576DT
系列 -
包裝 帶卷 (TR)
顯示類型 LCD
配置 7段 + DP，14段 + DP + AP，點陣
接口 I²C，2 線串口
數字或字符 10 字符，20 字符，160 元件
電流 - 電源 6µA
電壓 - 電源 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬）
為了有效利用SOI技術的獨特優勢并降低應用門檻，國際SOI產業聯盟、中科院上海微系統與信息技術研究所與芯原股份有限公司在上海成功舉辦了“SOI技術高峰論壇”。本次論壇的與會單位包括IBM、ST、Soitec、SunEdison、ShinEtsu等全球SOI技術領先企業，中芯國際、華虹宏力等晶圓代工廠商，中興、大唐電信、聯芯科技、展訊等集成電路設計企業，Cadence、Synopsys、Mentor Graphics、VeriSilicon等設計服務公司，還有來自清華大學、復旦大學、PCF8576DT
中科院北京微電子等科研機構的與會者。

如今智能手機、電視、PCF8576DT
筆記本、平板電腦等電子產品競爭力的持續提升需要半導體產業提供更高性能和更低功耗的集成電路產品。幾十年來，半導體產業依賴晶體管尺寸的持續縮小來滿足這一要求。然而，晶體管縮小正在逼近極限，在單個芯片上再新增更多功能而同時提升性能并使功耗可控已幾乎不可能。產業目前正邁向全耗盡晶體管技術以應對這一嚴峻挑戰。在諸多具有前景的方案中，FDSOI是最為重要的候選技術之一。

來自美國商業戰略公司(IBS)主席兼首席執行官Handel Jones表示受惠于中國移動終端市場的火熱，中國已經成為最大的IC需求市場。如今半導體制造技術已經發展到28nm節點，而下一代晶體管結構及制造技術該如何布局？Handel Jones認為FinFET技術目前尚不成熟，最大的問題在于成本太高，將在未來遇到發展瓶頸。而FD SOI技術在28nm將開始具有成本競爭力，而進入20nm及以下節點時將擁有明顯的成本優勢。目前GlobalFoundries已經重申了發展FDSOI技術的承諾。

意法半導體公司的高級首席工程師David Jacquet分享了意法半導體基于FDSOI的架構選擇與設計實施方案，采用28nm工藝FDSOI晶體管的應用處理器性能能夠提升40%，而功耗降低了30%以上。意法半導體在40nm時就在探索FDSOI技術，如今已經成功實現28nm的驗證，FDSOI技術能夠有效降低漏電，期望這項成果能夠成為在便攜終端、數碼相機和游戲機等各種產品中使用FDSOI的契機。

武漢新芯集成電路制造有限公司首席執行官楊士寧從制造的角度闡述了中國發展FDSOI所面臨的的問題及建議。楊博士認為，從技術上來講，FDSOI不僅僅是替代體硅工藝而且相比FinFET仍有優勢，中國將在2年內實現FDSOI的制造工藝。然而襯底成本太高是需要面臨的一個問題。另外生態系統的建立及IP問題也需要業界一起努力解決。FinFET雖然在工藝上有一定難度，但是他認為這仍是有爭議的一個技術方向，長期看來不一定一直處于劣勢。對于中國發展FDSOI技術的建議，他認為襯底價格需要下降；中國設計公司應該與制造商一起合作，共同承擔一定的技術風險；各方聯合努力打造良好的生態系統；并規劃技術路線圖指導今后的發展方向。