制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-563-6
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 3.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 7.9 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 700 mW
通道模式: Enhancement
商標名: U-MOSVI
系列: SSM6J214FE
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Toshiba
配置: Single