QPD1028_SPL.JPG" alt="Qorvo QPD1028 放大圖片" />
晶體管類型: HEMT
技術: GaN SiC
操作頻率: 1.2 GHz to 1.4 GHz
增益: 19.8 dB
Vds - 漏-源擊穿電壓: 65 V
Id - C連續漏極電流: 19 A
輸出功率: 750 W
最低工作溫度: - 40 C
最高工作溫度: + 85 C
Pd - 功率消耗 : 400 W
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: NI-780
品牌: Qorvo
濕度敏感: Yes
產品類型: RF JFET Transistors
系列: QPD1028