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NTJD5121NT2G

發布時間:2024/2/26 14:14:00 訪問次數:80 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-88-6
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 295 mA
Rds On-漏源導通電阻: 1.6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 900 pC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
通道模式: Enhancement
系列: NTJD5121N
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi
配置: Dual
下降時間: 32 ns
正向跨導 - 最小值: 80 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 34 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關閉延遲時間: 34 ns
典型接通延遲時間: 22 ns

單位重量: 7.500 mg



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