XPH4R10ANB,L1XHQ

製造商: Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOP-Advance-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 70 A
Rds On - 漏-源電阻: 4.1 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.5 V
Qg - 閘極充電: 75 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 170 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Toshiba
下降時間: 22 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 21 ns
原廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 89 ns
標準開啟延遲時間: 52 ns
每件重量: 360 mg