型號：MASTERGAN1LTR EVLMG1LPBRDR1 MASTERGAN4L MASTERGAN4LTR EVLMG4LPWRBR1

MASTERGAN1L 和 MASTERGAN4L 是采用氮化鎵 HEMT SiP 的 600 V 半橋驅動器，與 MasterGaN1 相比，具有改進的待機功耗并支持更高的開關頻率。

MASTERGAN1L 和 MASTERGAN4L 的一個主要特點是緊湊。由于更高的氮化鎵開關頻率以及驅動器和氮化鎵開關在同一封裝中的高度集成，可以實現比基于 MOSFET 開關的電源小四倍的高功率密度電源。MASTERGAN1L 和 MASTERGAN4L 具有針對氮化鎵 HEMT 優化的離線驅動器的魯棒性，可實現快速、有效、安全的驅動和布局簡化。離散氮化鎵開關的輕松設計管理可能很困難，但嵌入式驅動器可以管理氮化鎵開關，從而簡化電源設計。

特性 降低物料清單成本 能效 性能穩健 簡化的電路板布局 電源系統級封裝 (SiP) 集成 半橋驅動器和 GaN 晶體管 輸入引腳張力與寬電壓范圍兼容且不受器件 VCC的影響 3.3 V 至 15 V 兼容輸入 聯鎖自動管理 聯鎖功能