FET 類型 N 通道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 40 V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 10A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 13 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值） 44 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 3430 pF @ 20 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝型

供應商器件封裝 8-SO

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

基本產品編號 IRF7470