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IPB100N10S3-05

發布時間:2024/3/8 18:13:00 訪問次數:191 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 4.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 135 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
系列: OptiMOS-T
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 20 ns
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 60 ns
典型接通延遲時間: 34 ns
寬度: 9.25 mm
零件號別名: IPB1N1S35XT SP000261243 IPB100N10S305ATMA1

單位重量: 4 g



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