30V N溝道增強型MOSFET

描述
AP30N03DF采用先進的溝槽技術
以提供優異的RDS（ON）、低柵極電荷和
柵極電壓低至4.5V的操作。這
該設備適合用作
電池保護或其他開關應用。
一般功能
VDS=30V ID=30A
RDS（ON）<25mΩ@VGS=10V（類型：15mΩ）

應用
蓄電池保護
負載開關
不間斷電源

筆記
1、 通過表面安裝在具有2OZ銅的1英寸2 FR-4板上測試的數據。
2、 通過脈沖、脈沖寬度測試數據。EAS數據顯示最大評級。
3、 試驗條件為V≤300us，占空比DD=25≤V，V 2%GS=10V，L=0.1mH，IAS=12.7A
4、 功耗受150℃結溫的限制
5、 理論上，數據與ID和IDM相同，在實際應用中，應受到總功耗的限制。

典型特征

產品展示

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深圳市勤思達科技有限公司

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AO4803A
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穩壓IC/1117-3.3V SOT89L

5V降壓IC/LN3492 SOT23-6

運放IC/SGM722 SOP8

屏驅動/TM1652 SOP16