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IRFP064NPBF 英飛凌NMOS 55V 110A

發布時間:2024/4/1 9:40:00 訪問次數:62

IRFP064NPBF INFINEON英飛凌NMOS 55V 110A 200W

IRFP064NPBF是一種功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的特定型號,由英飛凌科技(Infineon Technologies)生產。以下是關于IRFP064NPBF的一些基本信息:
架構和類型:IRFP064NPBF是一種N溝道功率MOSFET。N溝道MOSFET具有負責控制漏極電流的負性溝道。
電氣特性:
額定電壓(VDS):55V
額定電流(ID):110A
導通電阻(RDS(ON)):通常為0.014Ω(最大值為0.02Ω)
柵極電壓(VGS)范圍:±20V
瞬態熱阻(RθJA):62°C/W(典型值)
工作溫度范圍:-55°C至+175°C
封裝類型:IRFP064NPBF采用TO-247封裝。TO-247封裝是一種具有三個引腳的封裝,提供較佳的散熱性能。
應用領域:IRFP064NPBF適用于各種高功率開關應用,如電源管理、電機驅動、逆變器、電源轉換、照明控制等。它在工業設備、電動工具、汽車電子、太陽能電池組件等領域中發揮重要作用。
IRFP064NPBF具有高電流承載能力、低導通電阻和較佳的熱穩定性,適合在高溫環境下工作。它能夠實現高效的功率轉換和開關操作。

產品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 110 A
Rds On-漏源導通電阻: 8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 170 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 400
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.31 mm
單位重量: 6 g

IRFP064NPBF
IRFP150NPBF
IRFP150MPBF
IRFP250NPBF
IRFP250MPBF
IRFP260NPBF
IRFP260MPBF
IRFP360PBF
IRFP3206PBF
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IRFP4110PBF
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