IPD038N06N3G是英飛凌科技（Infineon Technologies）生產的一種功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）器件。以下是對IPD038N06N3G的簡要介紹：
IPD038N06N3G是一款高性能N溝道功率MOSFET。它具有60V的額定電壓（VDS）和90A的額定電流（ID），適用于中高功率開關應用。該器件具有低導通電阻（RDS(ON)）和出色的熱穩定性，能夠在高溫環境下穩定工作。
IPD038N06N3G采用TO-252（DPAK）封裝，該封裝具有三個引腳，適用于一些中功率應用。
IPD038N06N3G廣泛應用于電源管理、電機驅動、逆變器、電源轉換、照明控制等領域。它能夠實現高效的功率轉換和開關操作，適用于工業設備、電動工具、電動車輛等應用場景。
產品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 90 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 98 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 5 ns
正向跨導 - 最小值: 60 S
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 70 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
寬度: 6.22 mm
零件號別名: IPD38N6N3GXT SP000397994 IPD038N06N3GATMA1
單位重量: 330 mg
IPD038N06N3G
IPD042P03L3G
IPD060N03LG
IPD068P03L3G
IPD068N10N3G
IPD50P04P4L-11
IPD60R180P7
IPD60R180P7S
IPD60R280P7S
IPD60R400CEAUMA1
IPD60R600P7S
IPD70R360P7S
IPD70R600P7S
IPD70R900P7SAUMA1
IPD80R600P7
IPD80R1K0CE
IPD90R1K2C3
IPD110N12N3G
IPD200N15N3G
IPD320N20N3G
IPD640N06LG
IPD25N06S4L-30
IPD30N10S3L34ATMA1
