IRFP4768PBF INFINEON英飛凌NMOS 250V 93A 520W
IRFP4768PBF是英飛凌科技(Infineon Technologies)生產的一種功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)器件。以下是對IRFP4768PBF的簡要介紹:
IRFP4768PBF是一款高性能N溝道功率MOSFET。它具有250V的額定電壓(VDS)和93A的額定電流(ID),適用于高功率開關應用。該器件具有低導通電阻(RDS(ON))和出色的熱穩定性,能夠在高溫環境下穩定工作。
IRFP4768PBF采用TO-247封裝,該封裝具有三個引腳,提供了良好的散熱性能。TO-247封裝適用于需要高功率處理和散熱的應用。
IRFP4768PBF廣泛應用于電源管理、電機驅動、逆變器、電源轉換、照明控制等領域。它能夠實現高效的功率轉換和開關操作,適用于工業設備、電動工具、太陽能發電系統等應用場景。
產品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續漏極電流: 93 A
Rds On-漏源導通電阻: 17.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 180 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 520 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 110 ns
正向跨導 - 最小值: 100 S
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 160 ns
工廠包裝數量: 400
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 57 ns
典型接通延遲時間: 36 ns
寬度: 5.31 mm
單位重量: 6 g
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IRFP4768PBF 英飛凌NMOS 250V 93A
發布時間:2024/4/2 14:58:00 訪問次數:49