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SI7114ADN-T1-GE3

發布時間:2024/4/15 15:51:00 訪問次數:92 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 35 A
Rds On-漏源導通電阻: 7.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 21 nC
最小工作溫度: - 50 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 39 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
系列: SI7
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 10 ns
正向跨導 - 最小值: 50 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 14 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 20 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
零件號別名: SI7114ADN-GE3

單位重量: 1 g

LP5916A33YENR
BZT03C47-TR
BZT03C150-TAP
BQ27210DRKR
PBHV9115T
TPS79601DRBR
FQD2N80TM
IRFU024PBF
S3DHE3_A/I
2N6394G
20CTQ045STRLPBF
1SMB70AT3G
1SMB70AT3G
V60D100CHM3/I

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