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SI2308CDS-T1-GE3

發布時間:2024/4/18 17:10:00 訪問次數:110 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 2.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 200 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
通道模式: Enhancement
系列: Si2308CDS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 16 ns
正向跨導 - 最小值: 3.2 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 25 ns
3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 10 ns
典型接通延遲時間: 23 ns

單位重量: 8 mg

ISO7221BDR
SP720ABTG
ISO7220ADR
LIS3DHTR
SPB17N80C3
BAS40-04-E3-08
0217002.MXP
CD14538BM96
GRM32DR71E106KA12L
L293DD013TR
BCV62CE6327HTSA1
BD138


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