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FDV303N

發布時間:2024/4/29 16:07:00 訪問次數:58 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續漏極電流: 680 mA
Rds On-漏源導通電阻: 450 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 650 mV
Qg-柵極電荷: 2.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
通道模式: Enhancement
系列: FDV303N
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 8.5 ns
正向跨導 - 最小值: 1.45 S
高度: 1.2 mm
長度: 2.9 mm
產品: MOSFET Small Signals
產品類型: MOSFET
上升時間: 8.5 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 17 ns
典型接通延遲時間: 3 ns
寬度: 1.3 mm
零件號別名: FDV303N_NL

單位重量: 8 mg


BC848B,215
L6205N
IRF1404PBF
SM6T10CA
BAS70H,115
STH3N150-2
NX2301P,215
LM317T
LM317MDT-TR
LM317LD13TR
ICM7240IPE+
DA112S1RL
IP4256CZ5-W,115
PMV213SN,215
TIP107
VIPER26LN
VIPER28LN
VIPER27LN
VIPER26LDTR
VIPER265KDTR

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