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HGTG11N120CND 仙童大功率IGBT

發布時間:2013/11/6 12:20:00 訪問次數:456 發布企業:深圳市萊利爾科技有限公司


標準包裝 30
類別 分立式導體產品
家庭 IGBT - 單路
系列 -
包裝 管件
IGBT 類型 NPT
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 1200V
不同 Vge、Ic 時的 Vce(on) 2.4V @ 15V,11A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) 43A
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
功率 - 最大值 298W
Switching Energy 950µJ (開), 1.3mJ (關)
輸入類型 標準
Gate Charge 100nC
Td (on/off) A 25°C 23ns/180ns
Test Condition 960V, 11A, 10 歐姆, 15V
反向恢復時間 (trr) 32ns
封裝/外殼 TO-247-3

美國高通公司今日宣布,其全資子公司美國高通技術公司的高通驍龍™800處理器將支持Google最新Android智能手機Nexus 5。Nexus 5 是首款支持全球LTE網絡且運行Android 4.4(KitKat)操作系統的智能手機,將于今日起售。

Nexus 5 還采用美國高通公司QFE1100包絡追蹤技術,這是即將面世的RF360™前端解決方案的一個重要組成部分。HGTG11N120CND 美國高通公司的RF360是一個全面系統級的解決方案,它能幫助廠商開發出支持全球4G LTE網絡的單一設計。QFE1100 是全球首個應用于3G/4G LTE 終端的包絡追蹤(ET)技術,帶來顯著的性能提升,包括降低最高30%[1]的發熱和最高20%[2]的功耗,從而使終端更薄且電池續航時間更長。

驍龍800處理器旨在提供出色的整體用戶體驗,為Nexus 5 提供眾多先進技術,包括卓越的性能、豐富的圖形以及優越的電池效率。這款終端使用驍龍圖像技術,還將支持全新的Android Camera HAL(Hardware Abstraction Layer,硬件抽象層)功能,采用美國高通技術公司的集成圖像信號處理器和色彩科學算法,呈現突發模式(burst-mode)計算攝影帶來的全新圖像體驗。

美國高通公司執行副總裁兼QCT聯席總裁Murthy Renduchintala表示:“美國高通技術公司十分自豪,能再次被選定為全新Nexus終端提供核心技術。最新版本的Android操作系統搭配我們頂級的移動處理器,將帶來前所未有的移動體驗和卓越的LTE連接、圖形效果及高速性能 。”

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