制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導通電阻: 75 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
通道模式: Enhancement
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 33 ns
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 43 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 41 ns
典型接通延遲時間: 14 ns
寬度: 5.31 mm
單位重量: 6 g
KC116002MTJ
RGL34G-E3/98
CC2541F256RHAR
PBHV9115T,215
T55D475M063C0100
TMS48C128-10DJ
IMC102TF064XUMA1
TPS76828QPWP
MAX13487EESA+T
STB57N65M5
BQ24610RGER
MAX13448EESD+
MAX13432EESD+
MAX13444EASA/V+
LQP03TN15NJ02D
DS1390U-3
SCIMX356BVMB
SCIMX535DVV1C
BBY5602VH6327XTSA1
