FQP4N90C ON安森美功率 MOSFET，N 溝道，QFET®，900 V，4 A，4.2 Ω，TO-220

FQP4N90C說明
FQP4N90C此N溝道增強型功率MOSFET是使用安森美半導體的平面條紋和 DMOS 專屬技術生產的。此先進MOSFET技術特別適用于降低導通電阻，提供出色的開關性能以及高雪崩能量強度。FQP4N90C適用于開關模式電源、有源功率因數校正 (PFC) 和電子燈鎮流器。

FQP4N90C應用
照明

FQP4N90C特性
4A, 900V, RDS(on) = 4.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 2A柵極電荷低（典型值：17nC)
低 Crss（典型值5.6pF)
100% 經過雪崩擊穿測試"
100% avalanche tested

產品屬性 屬性值
制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 900 V
Id-連續漏極電流: 4 A
Rds On-漏源導通電阻: 4.2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 22 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
商標名: QFET
系列: FQP4N90C
封裝: Tube
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 35 ns
正向跨導 - 最小值: 5 S
高度: 16.3 mm
長度: 10.67 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 50 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
寬度: 4.7 mm
單位重量: 2 g

NCP81296MNTXG
NCV4275ADT50RKG
NCV4276BDT50RKG
NCV8401ADTRKG
NCV8505D2T50R4G
NCV8675DS50R4G
MC34074DR2G
NCV8184DTRKG
FQP4N90C