制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 16 A
Rds On-漏源導通電阻: 64 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 225 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 830 W
通道模式: Depletion
系列: IXTH16N10D2
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 70 ns
正向跨導 - 最小值: 11 S
產品: MOSFETs
產品類型: MOSFET
上升時間: 43 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 340 ns
典型接通延遲時間: 45 ns
單位重量: 6 g
IXTT16N10D2
IXTT16N20D2
IXTT16N50D2
IXTT2N170D2
IXTY08N100D2
IXTY08N50D2
IXTY1R6N100D2
IXTY1R6N50D2
IXTY2P50PA
IXFH40N80XA
IXFH50N80XA
IXFH22N60X2A
IXFH34N60X2A
IXFH46N60X2A
IXFH60N60X2A
