MC33152DR2G ON安森美MOSFET驅動，高速，雙

MC33152DR2G說明
MC33152DR2G 是雙路非逆向高速驅動器，專門設計用于需要低電流數字信號以高壓擺率驅動大電容負載的應用。這些器件具有低輸入電流因此可兼容 CMOS/LSTTL 邏輯，輸入遲滯實現快速輸出開關而不受輸入轉換時間影響，還有兩路高電流圖騰柱輸出，極其適用于驅動功率 MOSFET。另外還包括帶有遲滯的欠壓鎖定，以防系統在低電源電壓下錯誤運行。典型應用包括開關電源、DC-DC 轉換器、電容電荷泵倍壓器/逆變器和電機控制器。MC33152DR2G采用表面貼裝封裝。

MC33152DR2G特性
具有 1.5 A 圖騰柱輸出的兩個獨立通道
輸出上升和下降時間為 15 ns，帶 1000 pF 負載
帶磁滯的 CMOS/LSTTL 兼容輸入
帶滯后的欠壓鎖定
低待機電流
高效高頻操作
利用通用開關穩壓器控制 IC 增強系統性能
提供無鉛封裝

產品屬性 屬性值
制造商: onsemi
產品種類: 柵極驅動器
產品: MOSFET Gate Drivers
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
激勵器數量: 2 Driver
輸出端數量: 2 Output
輸出電流: 1.5 A
電源電壓-最小: 6.1 V
電源電壓-最大: 18 V
配置: Non-Inverting
上升時間: 15 ns
下降時間: 15 ns
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: MC33152
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: onsemi
邏輯類型: CMOS, TTL
工作電源電流: 10.5 mA
Pd-功率耗散: 560 mW
產品類型: Gate Drivers
工廠包裝數量: 2500
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
單位重量: 210 mg

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