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IKW40N120H3 IGBT 晶體管 IGBT PRODUCTS

發布時間:2024/5/29 10:14:00 訪問次數:42 發布企業:深圳市壹芯創科技有限公司

封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV
集電極—射極飽和電壓: 2.05 V
柵極/發射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續集電極電流: 80 A
Pd-功率耗散: 483 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT4
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
集電極最大連續電流 Ic: 80 A
柵極—射極漏泄電流: 600 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 240

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