MC33174DR2G ON安森美運算放大器，單電源 3.0 V 至 44 V，低功耗，四路

MC33174DR2G說明
MC33174DR2G單片運算放大器采用了帶有創新設計概念的優質雙極制造。MC33174DR2G件根據放大器在 180 A 下運行，提供 1.8 MHz 增益帶寬積和 2.1 V/s 擺率，而不采用 JFET 器件技術。盡管此系列可基于分割電源運行，但它尤其適用于單電源運行，因為共模輸入電壓包括了接地電勢 (VEE)。此類器件使用達林頓輸入級，具有高輸入電阻、低輸入偏移電壓和高增益。全 NPN 輸出級的特點是無死區交越失真和大的輸出電壓擺幅，提供高電容驅動能力、卓越的相位和增益裕量、低開環輸出阻抗和對稱的源/汲交流頻率響應。

MC33174DR2G特性
低電源電流：180 µA（每個放大器）
寬電源工作范圍： 3.0 V 至 44 V 或 +/-1.5 V 至 +/- 22 V
寬輸入共模范圍，包括接地 (VEE)
寬帶寬：1.8 MHz
高回轉率 2.1 V/µs
低輸入失調電壓：2.0 mV
大輸出電壓擺幅 -14.2 V 至 +14.2 V（使用 +/-15 V 電源）
大電容驅動能力：0 pF 至 500 pF
低總諧波失真： 0.03%
出色的相位裕度：60 C°
出色的增益裕度：15 dB
輸出短路保護
ESD 二極管為雙路和四路提供輸入保護

產品屬性 屬性值
制造商: onsemi
產品種類: 運算放大器 - 運放
通道數量: 4 Channel
GBP-增益帶寬產品: 1.8 MHz
SR - 轉換速率 : 2.1 V/us
Vos - 輸入偏置電壓 : 5 mV
Ib - 輸入偏流: 100 nA
電源電壓-最大: 44 V, +/- 22 V
電源電壓-最小: 3 V, +/- 1.5 V
工作電源電流: 1 mA
每個通道的輸出電流: 5 mA
CMRR - 共模抑制比: 80 dB
en - 輸入電壓噪聲密度: 32 nV/sqrt Hz
封裝 / 箱體: SOIC-14
安裝風格: SMD/SMT
關閉: No Shutdown
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: MC33174
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
放大器類型: Low Power Amplifier
商標: onsemi
雙重電源電壓: +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V
高度: 1.5 mm
In—輸入噪聲電流密度: 0.2 pA/sqrt Hz
長度: 8.75 mm
最大雙重電源電壓: +/- 22 V
最小雙重電源電壓: +/- 1.5 V
工作電源電壓: 3 V to 44 V, +/- 1.5 V to +/- 22 V
產品: Operational Amplifiers
產品類型: Op Amps - Operational Amplifiers
PSRR - 電源抑制比: 100 dB
工廠包裝數量: 2500
子類別: Amplifier ICs
電源類型: Single, Dual
技術: Bipolar
Vcm - 共模電壓: 3 V to 44 V
電壓增益 dB: 113.98 dB
寬度: 4 mm
單位重量: 259.200 mg

NCP81296MNTXG
NCV4275ADT50RKG
NCV4276BDT50RKG
NCV8401ADTRKG
NCV8505D2T50R4G
NCV8675DS50R4G
MC34074DR2G
NCV8184DTRKG
FQP4N90C
MC3303DR2G
MC3403DR2G
MC14011BDR2G
MC14012BDR2G
MC14013BDR2G
MC14017BDR2G
MC14051BDR2G
MC14052BDR2G
MC14053BDR2G
MC14060BDR2G
MC14066BDR2G
MC14069UBDR2G
MC14070BDR2G
MC14071BDR2G
MC14081BDR2G
MC33035DWR2G
MC33039DR2G
MC33063ADR2G
MC33064D-5R2G
MC33072ADR2G
MC1413BDR2G
MC1455BDR2G
MC1496DR2G
MC14093BDR2G
MC14094BDR2G
MC14106BDR2G
MC14504BDR2G
MC14516BDR2G
MC14538BDR2G
MC14541BDR2G
MC14543BDR2G
MC14584BDR2G
MC33074ADR2G
MC33078DR2G
MC33079DR2G
MC33152DR2G
MC33153DR2G
MC33161DMR2G
MC33164D-5R2G
MC33172DR2G
MC33174DR2G