制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: PLUS-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導通電阻: 140 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 250 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 kW
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFB60N80
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 26 ns
正向跨導 - 最小值: 35 S
高度: 26.59 mm
長度: 20.29 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 29 ns
25
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: PolarHV HiPerFET Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 110 ns
典型接通延遲時間: 36 ns
寬度: 5.31 mm
單位重量: 1.600 g
IXFK180N15P
IXFK200N10P
IXFK20N120P
IXFK220N15P
IXFK24N80P
IXFK250N10P
IXFK26N100P
IXFK26N120P
IXFK32N100P
IXFK32N80P
