制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: PLUS-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 300 A
Rds On-漏源導通電阻: 5.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 279 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1.5 kW
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFB300N10
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
產品類型: MOSFET
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子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
單位重量: 1.600 g
IXFN26N120P
IXFN300N10P
IXFN30N120P
IXFN32N100P
IXFN32N120P
IXFN32N80P
IXFN38N100P
IXFN40N110P
