制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續漏極電流: 6 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.75 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 92 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFA6N120
封裝: Tube
商標: IXYS
下降時間: 14 ns
正向跨導 - 最小值: 3 S
高度: 4.83 mm
長度: 9.65 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 11 ns
50
子類別: MOSFETs
類型: Polar HiPerFET Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 60 ns
典型接通延遲時間: 24 ns
寬度: 10.41 mm
單位重量: 2.300 g
IXFR30N60P
IXFR32N100P
IXFR32N80P
IXFR36N50P
IXFR36N60P
IXFR40N90P
IXFR44N50P
IXFR44N80P
IXFR48N60P
