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IXFH14N60P3

發布時間:2024/5/31 12:02:00 訪問次數:91 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 14 A
Rds On-漏源導通電阻: 540 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 25 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 330 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFH14N60
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
產品類型: MOSFET
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel

單位重量: 6 g


IXFK150N30P3
IXFK64N60P3
IXFK78N50P3
IXFK80N60P3
IXFK98N50P3
IXFL132N50P3
IXFL210N30P3
IXFN110N60P3

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