NCP5104DR2G ON安森美單輸入高端和低端功率MOSFET驅動器

NCP5104DR2G說明
NCP5104DR2G是一款高壓功率柵極驅動器，提供兩個輸出，可直接驅動 2 個 N 溝道功率 MOSFET 或半橋配置的 IGBT。
NCP5104DR2G采用自舉技術，確保正確驅動高壓側功率開關。

NCP5104DR2G應用
半橋功率轉換器：中低功率
照明鎮流器
白色家電
電機控制

NCP5104DR2G特性
高壓范圍：高達 600 V
dV/dt 抗擾度 50 V/nsec
柵極驅動電源范圍：10 V 至 20 V
高、低驅動輸出
輸出源/灌電流能力：250 mA / 500 mA
兼容 3.3 V 和 5 V 輸入邏輯
輸入引腳最高 Vcc 擺幅
兩個通道之間的傳播延遲相匹配
1 個輸入具有內部固定死區時間 (520 ns)
兩個通道的欠壓鎖定（UVLO）
引腳對引腳兼容行業標準

產品屬性 屬性值
制造商: onsemi
產品種類: 柵極驅動器
產品: IGBT, MOSFET Gate Drivers
類型: Half-Bridge
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
激勵器數量: 2 Driver
輸出端數量: 2 Output
輸出電流: 500 mA
電源電壓-最小: - 300 mV
電源電壓-最大: 20 V
上升時間: 85 ns
下降時間: 35 ns
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: NCP5104
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: onsemi
輸出電壓: 700 mV
產品類型: Gate Drivers
工廠包裝數量: 2500
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
單位重量: 540 mg

MC33074ADR2G
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MC33153DR2G
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