制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 28 A
Rds On-漏源導通電阻: 260 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 50 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 695 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFH28N60
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 19 ns
正向跨導 - 最小值: 30 S, 18 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 18 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
單位重量: 6 g
IXFH12N100Q
IXFH12N90Q
IXFH15N100Q
IXFH15N80Q
IXFH16N90Q
IXFH20N60Q
IXFH20N80Q
IXFH21N50Q
IXFH23N80Q
IXFH24N50Q
IXFH26N50P
IXFH26N50Q
