制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 42 A
Rds On-漏源導通電阻: 185 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 78 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 830 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFH42N60
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 17 ns
正向跨導 - 最小值: 42 S, 25 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 23 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
單位重量: 6 g
IXFH80N20Q
IXFK21N100Q
IXFK26N60Q
IXFK27N80Q
IXFK44N50Q
IXFK48N50Q
IXFK90N20Q
IXFN21N100Q
IXFN27N80Q
IXFN48N50Q
IXFP4N100Q
IXFP4N100QM
IXFR12N100Q
