制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導通電阻: 120 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 85 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 960 W
通道模式: Enhancement
商標名: Polar3, HiperFET
系列: IXFH50N50
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 10 ns
正向跨導 - 最小值: 27 S
高度: 21.46 mm
長度: 16.26 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 8 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Polar3 HiperFET Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 53 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
寬度: 5.3 mm
單位重量: 6 g
IXFR21N100Q
IXFR44N50Q
IXFR48N50Q
IXFR4N100Q
IXFR58N20Q
IXFT12N100Q
IXFT12N100QHV
IXFT15N100Q3
IXFT12N90Q
IXFT15N80Q
IXFT20N80Q
IXFT24N50Q
