制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 64 A
Rds On-漏源導通電阻: 95 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 145 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.13 kW
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFK64N60
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 11 ns
正向跨導 - 最小值: 60 S, 36 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
25
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
單位重量: 10 g
IXFK64N60Q3
IXFK80N50Q3
IXFN100N50Q3
IXFN32N100Q3
IXFN40N110Q3
IXFN44N100Q3
IXFN44N80Q3
IXFN62N80Q3
IXFN80N50Q3
