制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 63 A
Rds On-漏源導通電阻: 43 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 267 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 520 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFL132N50
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
產品類型: MOSFET
25
子類別: MOSFETs
單位重量: 10 g
IXFA3N120
IXFH10N100
IXFH11N80
IXFH12N100
IXFH12N90
IXFH13N100
IXFH13N80
IXFH13N90
IXFH15N100
