制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 300 V
Id-連續漏極電流: 108 A
Rds On-漏源導通電阻: 16 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 268 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 520 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFL210N30
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
產品類型: MOSFET
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子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
單位重量: 10 g
IXFH15N60
IXFH15N80
IXFH20N60
IXFH21N50
IXFH24N50
IXFH26N50
IXFH26N50
IXFH30N50Q3
