制造商: IXYS
產品種類: 分立半導體模塊
RoHS: 詳細信息
產品: Power MOSFET Modules
類型: HiperFET
技術: Si
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
安裝風格: Screw Mount
封裝 / 箱體: SOT-227-4
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: IXFN110N60
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 15 ns
Id-連續漏極電流: 90 A
通道數量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 1.5 mW
產品類型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源導通電阻: 56 mOhms
上升時間: 30 ns
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子類別: Discrete Semiconductor Modules
商標名: HiPerFET
晶體管極性: N-Channel
典型關閉延遲時間: 106 ns
典型接通延遲時間: 63 ns
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
單位重量: 30 g
IXFH32N50
IXFH40N30
IXFH42N20
IXFH50N20
IXFH58N20
IXFH67N10
IXFH6N100
IXFH6N120
