FDC606P 是一款MOS管 品牌：ON（安森美） 封裝：SOT-23-6 引腳數：6 PIN（3000個/圓盤）

此 P 溝道 1.8V 指定 MOSFET 使用低壓 PowerTrench 工藝。此產品非常適用于電池管理應用。

FDC606P的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid FDC606P
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 4001115984
包裝說明 SUPERSOT-6
制造商包裝代碼 419BL
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Philippines
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 4 weeks
風險等級 1.03
Samacsys Description FDC606P, P-channel MOSFET Transistor, -6 A -12 V, 6-Pin SSOT
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 7.12
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 12 V
最大漏極電流 (ID) 6 A
最大漏源導通電阻 0.026 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PDSO-G6
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.8 W
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

本公司主營是二三極管，MOS管和邏輯IC等，這邊有 原裝進口品牌和國產品牌，如果你這邊有需求的話，可以添加上面的聯系方式

下面是公司的熱銷電子元器件型號

FDC606P ON（安森美）
TLV70033DSER TI(德州儀器)
IPD90N06S4-04 Infineon(英飛凌)
BC857 NXP(恩智浦)
C8051F040-GQR SILICON LABS(芯科)
LT1963AES8#PBF ADI(亞德諾)
SI5338C-B-GMR SILICON LABS(芯科)
SN74CB3T3245PWR TI(德州儀器)
ADS8339IDGSR Burr-Brown(TI)
IRF9630PBF IR(國際整流器)
MAX15062BATA+T Maxim(美信)
SPC5605BK0MLL6R Freescale(飛思卡爾)
TPS76833QPWPR TI(德州儀器)
ADSP-TS201SABP-060 XILINX(賽靈思)
GAL16V8D-15LD/883 Lattice(萊迪斯)
MF-MSMF030-2 Bourns(伯恩斯)
MT47H32M16HR-25E:G micron(鎂光)
NUC131LD2AE Nuvoton(新唐)
TPS51396RJER TI(德州儀器)
NCV317MABDTRKG ON(安森美)
B0520LW-7-F Diodes(美臺)
BC847BPDW1T1G LRC(樂山無線電)
ECMF02-4CMX8 ST(意法)
NRVB140SFT1G ON(安森美)
TCAN334GDCNR TI(德州儀器)
TCMT4600 Vishay(威世)
TPS74601PBQWDRVRQ1 TI(德州儀器)
ACM7060-301-2PL-TL01 TDK(東電化)
DMP10H4D2S-7 Diodes(美臺)
ADT2-1T-1P+ Mini-Circuits
DMP2305U-7 Opto Diode Corporation
SMBJ5.0CA-TR Vishay(威世)
SN74LVC04ADR TI(德州儀器)
FDG6316P ON(安森美)
PSMN040-100MSEX NXP(恩智浦)
BZX84C12 NXP(恩智浦)
ICE3BR0665J Infineon(英飛凌)
SPP11N60C3 Infineon(英飛凌)
TPIC6A596DWRG4 TI(德州儀器)
TPS54336ADRCR TI(德州儀器)
TPS73501DRBR TI(德州儀器)
AM4378BZDNA100 TI(德州儀器)
IS25LP064A-JBLE-TR ISSI(美國芯成)
NJM4558M-TE1 JRC(日本無線電)
OPA211AIDGKR Burr-Brown(TI)
STB18NM80 ST(意法)
TPS3813I50QDBVRQ1 TI(德州儀器)
AD8662ARZ-REEL7 ADI(亞德諾)
BAT54CW-7-F Opto Diode Corporation
LM2903BIDR TI(德州儀器)
MCP16311T-E/MS Microchip(微芯)
SN74AUP1G74DCUR TI(德州儀器)
STM32L412CBT6 ST(意法)
T491X476K035AT KEMET(基美)
ACS70331EOLCTR-2P5B3 ALLEGRO(美國埃戈羅)
ATMEGA329PA-AUR Microchip(微芯)
IRF4905SPBF Infineon(英飛凌)
IRFR4620TRLPBF IR(國際整流器)
KSZ8873FLLI Microchip(微芯)
SN74LVC2G132DCUR TI(德州儀器)
STPS5H100B-TR ST(意法)
10M04DCF256I7G INTEL(英特爾)
CY2305SXC-1HT Cypress(賽普拉斯)
MAX823TEUK+T Maxim(美信)
URB2405S-6WR3 MORNSUN(金升陽)
AZ1117H-3.3TRE1 BCD Semiconductor Manufacturing Limited
MCP73831T-2ACI/MC MIC(昌福)
PS2701A-1-F3-A Renesas(瑞薩)
SM6T33CA ST(意法)
SS16 Vishay(威世)
TGL2208-SM TriQuint (超群)
TQP3M9018 Qorvo(威訊聯合)
SN74LVC2G74DCTR TI(德州儀器)
TLV6001IDBVR TI(德州儀器)
ERA-2SM+ Mini-Circuits
GALI-39+ Mini-Circuits
HFCN-7150+ Mini-Circuits
LTM4668AIY#PBF LINEAR(凌特)
EPM7032AETI44-7N ALTERA(阿爾特拉)
IPT60R022S7 Infineon(英飛凌)
LFXP2-5E-5QN208C Lattice(萊迪斯)
UPC1093T-E1-AZ NEC
A1326LLHLT-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
ACT4088US-T ACTIVE-SEMI
ATMEGA1284-AU Atmel(愛特梅爾)
BSS84W-7-F Diodes(美臺)
MFR4310E1MAE40 Freescale(飛思卡爾)
TPS76330DBVR TI(德州儀器)
TPS7A5301RPSR TI(德州儀器)
USB2512B-I/M2 Microchip(微芯)
2908-05WB-MG 3M
AD5544ARSZ-REEL7 ADI(亞德諾)
BC847BW Philips(飛利浦)
LTV-354T-A LITEON(臺灣光寶)
NCP380HSN05AAT1G ON(安森美)
XC7S25-2CSGA324I XILINX(賽靈思)
CAT24C64YI-GT3 Catalyst Semiconductor
DPA423GN-TL Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
LM4040C50IDBZR TI(德州儀器)
LT1965IMS8E#PBF LINEAR(凌特)
MCP3221A5T-E/OT Microchip(微芯)
OPA552FAKTWT TI(德州儀器)
PC28F512P30BFB micron(鎂光)
RS8551XF Y.S. TECH（YEN SUN TECHNOLOGY）
STTH1R06U ST(意法)
TPS2379DDAR TI(德州儀器)
AD7688BRMZ ADI(亞德諾)
MINISMDC020F-2 TE(泰科)
NCE60P04Y NCE Power(新潔能)