制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 64 A
Rds On-漏源導通電阻: 85 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 145 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1 kW
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFK64N50
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
產品類型: MOSFET
上升時間: 250 ns
25
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
單位重量: 10 g
IXFH6N120
IXFH75N10
IXFH76N07-11
IXFH76N07-12
IXFH7N80
IXFH9N80
IXFK100N10
IXFK100N25
IXFK110N07
IXFK120N20
IXFK170N10
IXFK180N07
IXFK180N10
