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IXFT30N50Q3

發布時間:2024/6/4 17:04:00 訪問次數:50 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-268-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導通電阻: 200 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 62 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 690 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFT30N50
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
產品類型: MOSFET
上升時間: 250 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel

單位重量: 6.500 g


IXTA3N60P
IXTA4N65X2
IXTA42N25P
IXTA4N80P
IXTA50N20P
IXTA5N50P
IXTA8N65X2
IXTA5N60P
IXTA62N15P
IXTA6N50P
IXTA75N10P
IXTA8N50P

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